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UVB紫外外延片

產品特點

低電壓,高亮度 UVB LED 外延片

由 MOCVD 生長而得的 2 寸外延晶片

波長一致性好

產品詳情

2 英寸紫外光外延片 300~320nm


1、產品特點

低電壓,高亮度 UVB LED 外延片

由 MOCVD 生長而得的 2 寸外延晶片

波長一致性好


2、產品外觀


UVB紫外外延片


3、物理結構&物理參數


UVB紫外外延片


直徑50.8±0.25mm(2”φ)
切邊長度16±1mm
外延片厚度430±25μm
表面類型鏡面
刻蝕深度750±100nm
基板平片襯底; 納米圖形化襯底
緩沖層非摻雜氮化鋁(2000±100nm )
N 區N 型氮化鋁鎵
厚度:2000±100nm
發光區MQW/多層量子阱
厚度:100±20nm
P-type Layer/P 區P-AlGaN/P 型氮化鋁鎵;厚度:100±10nm
P-GaN/P 型氮化鎵; 厚度:350±50nm



4、外延片特性(@22℃ preliminary)

參數符號條件最小值典型值最大值單位
正向電壓Vf1If =20mA5.07.5V
開啟電壓Vf3If =1μA34.5V
反向電流IrVr =-5V01.0μA
光功率PA1If =20mA01mW
A212
A323
A434
A545
峰值波長λp30AIf=20mA300305nm
30B305310
30C310315
30D315320
表面等級單片缺陷面積ABC
--
≦10%10%~50%≦70%
其他


備注:

1) 數據基于 10*20mil 尺寸芯片獲得;

2) 可根據客戶要求定制特殊規格的外延片;

3) 芯片目標尺寸及測試電流的不同,特性參數會有合理的差異;


5、包裝


深紫外探測器外延片

1. 可提供 25 片/盒標準晶圓盒(圖 A) 包裝方式,盒身貼有注明每一片外延片的唯一身份信息的標簽,所述身份信息例如批次信息,或激光刻號等;

2. 可提供單片晶圓盒(圖 B)包裝方式,盒蓋上貼有注明該片外延片唯一身份信息的標簽,所述身份信息例如批次信息,或激光刻號等。


6、使用建議

1. 外延片儲藏

為避免外延片遭受不必要的污染及長時間氧化侵蝕,建議在不使用時將外延片儲藏在干燥箱或者氮氣柜中。推薦儲藏條件溫度應不超過35℃,濕度不大于65%;

2. 防護措施

外延片為易碎品,請在儲藏、運輸或加工過程中避免碰撞、擠壓、敲擊等事件發生,否則有可能導致外延片破碎或產生裂紋而無法使用;外延片的取放應采用專用的夾具;

3. 靜電防護

本產品已具備一定的抗靜電能力,但不代表在任意條件下都不會被靜電損傷。必要的靜電防護措施可有利于更好的使用本外延片;

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