1、產品特性
高亮度
芯片百分百測試分選
長壽命、高可靠性
2、芯片結構
芯片外觀
芯片尺寸
| 尺寸：長×寬 | 304×508（±25）μm2 |
| 芯片厚度 | 250±10μm |
| P 焊盤 | 136×114(±10)μm2 |
| N 焊盤 | 136×114(±10)μm2 |
| 焊盤間距 | 150±10μm |
襯底材料 | 藍寶石 |
| 外延結構 | AlGaN/AlN/GaN MQW |
| P 電極 | AuSn |
| N 電極 | AuSn |
3、光電性能特 (Ta=22℃)
| 參數/Parameters | 特征/Symbol | 條件/Condition | 最小值/min | 最大值/Max | 單位/Unit |
| 正向電壓/Forward Voltage | VF1 | 20mA | 5 | 7.5 | V |
| 開啟電壓/ Threshold voltage | VF3 | 1uA | 3 | 4.5 | V |
| 光功率 Radiometric Power | LOP | 20mA | 2 | 5 | mW |
| 反向電流/Reverse Current | IR | -5V | 0 | 1 | uA |
| 峰值波長/Peak Wavelength | WLP | 20mA | 300 | 315 | nm |
4、最大額定值
| 參數/Parameters | 符號/ Symbol | 條件/Condition | 最大值/MaximumRating | 單位/unit |
| 正向電流DC Forward Current | IF | Tc = 22℃ | ≤40 | mA |
| 耐受結溫Junction Temperature | Tj | --- | ≤85 | ℃ |
| 工作溫度Operating Temperature | Topr | --- | -30~60 | ℃ |
| 存儲條件Storage Temperature | Tstg | --- | -40~100 | ℃ |
5、分檔規格
編碼規則
電壓分檔 (Ta=22℃)
| Level | A01 | A02 | A03 | A04 | A05 | A06 | A07 | A08 | A09 | A10 |
| Min | 4.5 | 4.75 | 5 | 5.25 | 5.5 | 5.75 | 6.0 | 6.25 | 6.5 | 6.75 |
| Max | 4.75 | 5 | 5.25 | 5.5 | 5.75 | 6.0 | 6.25 | 6.5 | 6.75 | 7.0 |
光功率分檔 (Ta=22℃)
| Level | B01 | B02 | B03 | B04 | B05 | B06 |
| Min | 2 | 2.5 | 3 | 3.5 | 4 | 4.5 |
| Max | 2.5 | 3 | 3.5 | 4 | 4.5 | 5 |
主波長分檔 (Ta=22℃)
| Level | 300C | 302C | 305C | 307C | 310C | 312C |
| Min | 300 | 302.5 | 305 | 307.5 | 310 | 312.5 |
| Max | 302.5 | 305 | 307.5 | 310 | 312.5 | 315 |
實例 Example
300CB04A03
波長：300-302.5nm 亮度：3.5-4 mW
電壓：4.5-4.75 V
6、特性曲線
7、應用說明
1）所有數據均是基于至芯半導體測試儀器上實施的裸晶芯片測試。
2）因受測試設備精準度的影響，各項參數量測均會有一定的誤差，誤差極限值為 WLP±1.0nm、LOP±10%、VF1±0.2V。
3）處理 LED 芯片時請戴好防靜電手環或防靜電手套，并使用離子風扇。建議在封裝器件時加入 ESD 防護并用防靜電袋包裝產品。
4）歡迎提出客制化特殊需求。
