1、產品特性
高亮度
芯片百分百測試分選
長壽命、高可靠性
2、芯片結構
芯片外觀
芯片尺寸
尺寸:長×寬Chip Size L×W | 508×508(±25)μm2 |
芯片厚度 | 300±10μm |
P 焊盤 | 450×150(±10)μm2 |
N 焊盤 | 450×150(±10)μm2 |
焊盤間距 | 150±10μm |
襯底材料 | 藍寶石 |
外延結構 | AlGaN/AlN/GaN MQW |
P 電極 | AuSn |
N 電極 | AuSn |
3、光電性能特性 (Ta=22℃)
參數 | 特征 | 條件 | 最小值 | 最大值 | 單位 |
正向電壓 | VF1 | 100mA | 5 | 7.5 | V |
開啟電壓 | VF3 | 1uA | 3 | 4.5 | V |
光功率 | LOP | 100mA | 10 | 26 | mW |
反向電流 | IR | -5V | 0 | 1 | uA |
峰值波長 | WLP | 100mA | 300 | 315 | nm |
4、最大額定值
參數 | 符號 | 條件 | 最大值 | 單位 |
正向電流 | IF | Tc = 22℃ | ≤150 | mA |
耐受結溫 | Tj | --- | ≤85 | ℃ |
工作溫度 | Topr | --- | -30~60 | ℃ |
存儲條件 | Tstg | --- | -40~100 | ℃ |
5、分檔規格
編碼規則
電壓分檔 (Ta=22℃)
Level | A01 | A02 | A03 | A04 | A05 | A06 | A07 | A08 | A09 | A11 |
Min | 4.5 | 4.75 | 5 | 5.25 | 5.5 | 5.75 | 6.0 | 6.25 | 6.5 | 6.75 |
Max | 4.75 | 5 | 5.25 | 5.5 | 5.75 | 6.0 | 6.25 | 6.5 | 6.75 | 7.0 |
光功率分檔 (Ta=22℃)
Level | B10 | B11 | B12 | B13 |
Min | 10 | 14 | 18 | 22 |
Max | 14 | 18 | 22 | 26 |
主波長分檔 (Ta=22℃)
Level | 300C | 302C | 305C | 307C | 310C | 312C |
Min | 300 | 302.5 | 305 | 307.5 | 310 | 312.5 |
Max | 302.5 | 305 | 307.5 | 310 | 312.5 | 315 |
實例
300CB10A03
波長:300-302.5nm
亮度:10-14 mW
電壓:5-5.25 V
6、特性曲線
7、應用說明
1)所有數據均是基于至芯半導體測試儀器上實施的裸晶芯片測試。
2)因受測試設備精準度的影響,各項參數量測均會有一定的誤差,誤差極限值為 WLP±1.0nm、LOP±10%、VF1±0.2V。
3)處理 LED 芯片時請戴好防靜電手環或防靜電手套,并使用離子風扇。建議在封裝器件時加入 ESD防護并用防靜電袋包裝產品。
4)歡迎提出客制化特殊需求