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ZX-TD XP-002 ZUB2020A 深紫外LED芯片

產品特性

高亮度

芯片百分百測試分選

長壽命、高可靠性

產品詳情

1、產品特性

高亮度

芯片百分百測試分選

長壽命、高可靠性


2、芯片結構

芯片外觀


ZX-TD XP-002 ZUB2020A 深紫外LED芯片


芯片尺寸

尺寸:長×寬Chip Size L×W508×508(±25)μm2
芯片厚度300±10μm
P 焊盤450×150(±10)μm2
N 焊盤450×150(±10)μm2
焊盤間距150±10μm


襯底材料藍寶石
外延結構AlGaN/AlN/GaN MQW
P 電極AuSn
N 電極AuSn


3、光電性能特性 (Ta=22℃)

參數特征條件最小值最大值單位
正向電壓VF1100mA57.5V
開啟電壓VF31uA34.5V
光功率LOP100mA1026mW
反向電流IR-5V01uA
峰值波長WLP100mA300315nm


4、最大額定值

參數符號條件最大值單位
正向電流IFTc = 22℃≤150mA
耐受結溫Tj---≤85
工作溫度Topr----30~60
存儲條件Tstg----40~100


5、分檔規格

編碼規則


ZX-TD XP-002 ZUB2020A 深紫外LED芯片


電壓分檔 (Ta=22℃)

LevelA01A02A03A04A05A06A07A08A09A11
Min4.54.7555.255.55.756.06.256.56.75
Max4.7555.255.55.756.06.256.56.757.0


光功率分檔 (Ta=22℃)

LevelB10B11B12B13
Min10141822
Max14182226


主波長分檔 (Ta=22℃)

Level300C302C305C307C310C312C
Min300302.5305307.5310312.5
Max302.5305307.5310312.5315


實例

300CB10A03

波長:300-302.5nm

亮度:10-14 mW

電壓:5-5.25 V


6、特性曲線


ZX-TD XP-002 ZUB2020A 深紫外LED芯片


7、應用說明

1)所有數據均是基于至芯半導體測試儀器上實施的裸晶芯片測試。

2)因受測試設備精準度的影響,各項參數量測均會有一定的誤差,誤差極限值為 WLP±1.0nm、LOP±10%、VF1±0.2V。

3)處理 LED 芯片時請戴好防靜電手環或防靜電手套,并使用離子風扇。建議在封裝器件時加入 ESD防護并用防靜電袋包裝產品。

4)歡迎提出客制化特殊需求

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